ケイ化タンタル(TaSi2)スパッタリングターゲット 説明
タンタルシリサイド(TaSi2)スパッタリングターゲットは99%以上の純度で製造されており、半導体や先端電子デバイスの精密用途に最適です。融点2200℃、密度8.5g/cm³といった最適化された物理特性により、RF、RF-R、DC条件下でのスパッタリングプロセスにおいて、信頼性の高い性能と高い安定性を保証します。この製品は、標準的なディスク形状およびカスタムメイド設計の両方に対応するように設計されており、優れた密着性と耐久性を備えた均一で高品質な薄膜を提供することで、多様な産業要件を満たします。
ケイ化タンタル(TaSi2)スパッタリングターゲット用途
- 半導体製造マイクロエレクトロニクス部品に使用される精密な薄膜形成に最適です。
- 表面コーティング:さまざまな基板上の耐摩耗性層や導電層の成膜に使用されます。
- 先端エレクトロニクス:安定した導電膜を必要とする高性能回路やセンサーの製造に使用される。
- 研究開発:制御されたスパッタリング条件が不可欠な材料科学やナノテクノロジーの実験セットアップに適しています。
ケイ化タンタル(TaSi2)スパッタリングターゲットパッキング
当社のケイ化タンタルスパッタリングターゲットは、保管中および出荷中の原状を維持するために細心の注意を払って梱包されています。
包装オプションには、真空密封パウチや、1袋5kgや1ドラム25kgなど、製品サイズに合わせたカスタム包装ソリューションがあり、ライフサイクルを通して材料の完全性を保証します。
よくある質問
Q: ケイ化タンタルがスパッタリング用途に最適な理由は何ですか?
A: ケイ化タンタルは、非常に優れた熱安定性と高い電気伝導性を備えており、信頼性の高い薄膜成膜とスパッタリングプロセス中の耐劣化性を保証します。
Q: どのスパッタリング法がこのターゲットと互換性がありますか?
A: このターゲットはRF、RF-R、DCスパッタリング技法用に設計されており、幅広い工業プロセスに対応できます。
Q: ターゲットは特定のデバイス要件に合わせてカスタマイズできますか?
A: はい、ケイ化タンタルスパッタリングターゲットは標準的なディスク形状で入手可能ですが、特定のアプリケーションのニーズに合わせてカスタムメイドすることもできます。
Q: シリサイドタンタルスパッタリングターゲットを使用することで、どのような産業が最も恩恵を受けますか?
A: 半導体製造、先端エレクトロニクス、表面コーティング技術などの業界は、この材料の強化された性能と耐久性から大きな恩恵を受けています。
Q: スパッタリングターゲットの品質と一貫性はどのように確保されていますか?
A: 当社の製造工程では、厳格な品質管理対策と高度な噴霧化技術により、各バッチが精密工業用途に求められる高い基準を満たすようにしています。