ゲルマニウムアンチモンテルリドスパッタリングターゲット、GSTの説明
ゲルマニウムアンチモンテルライドスパッタリングターゲット、GSTは、スパッタリングと薄膜蒸着アプリケーションで優れた性能を提供するために精密に製造されています。純度99%以上の高品位Ge₂Sb₂Teを使用したこのスパッタリングターゲットは、様々な産業ニーズに合わせてディスク形状またはカスタマイズされた形状で提供されます。その強固な組成と制御された密度は、半導体メモリデバイスや相変化技術におけるアプリケーションに最適です。スタンフォード・アドバンスト・マテリアルズが設計したこの製品は、厳しい加工条件下で優れた信頼性と一貫性を発揮します。
ゲルマニウム・アンチモン・テルライド・スパッタリングターゲット、GST用途
- 半導体デバイス相変化ランダムアクセスメモリ(PCRAM)やその他の不揮発性メモリデバイスなどのメモリ素子の製造に利用されます。
- 薄膜蒸着:電子および光学用途の高品質薄膜を成膜するスパッタプロセスに最適。
- ナノ加工:ナノテクノロジーや微小電気機械システム(MEMS)の高度な研究開発に適しています。
- 研究開発:次世代電子部品の材料科学研究および技術革新に使用される。
ゲルマニウム・アンチモン・テルライド・スパッタリングターゲット、GST梱包
製品は、出荷および保管中にターゲット材料の完全性と性能を維持するために細心の注意を払って梱包されます。
- 精密部品の最適な保護を保証するため、ご要望に応じてカスタムパッケージングオプションをご利用いただけます。
よくある質問
Q: GSTスパッタリングターゲットの化学組成は何ですか?
A: 組成はGe₂Sb₂Te₅で、高純度と高度なスパッタリング用途に合わせた性能を保証します。
Q: このスパッタリングターゲットにはどのような形状がありますか?
A: ターゲットは標準的なディスク形状で入手可能ですが、特定の要件に応じてカスタムメイドすることもできます。
Q: GSTスパッタリングターゲットの主な用途は何ですか?
A: 主に半導体デバイス製造、薄膜蒸着、ナノ加工、各種研究開発用途に使用されます。
Q: ボンディングタイプ(インジウム)はスパッタリングターゲットの性能にどのように影響しますか?
A: インジウムボンディングは、スパッタリングプロセス中の優れた熱的・電気的接触を保証します。
Q: 融点(~600℃)は、特定の用途の制限要因になりますか?
A: ~600℃の融点はこの材料の典型的なもので、半導体やナノファブリケーション産業で使用されるほとんどのスパッタリングや蒸着プロセスに適しています。