インジウム砒素スパッタリングターゲット 説明
インジウムヒ素スパッタリングターゲットInAsは、半導体およびオプトエレクトロニクスアプリケーションにおける精密スパッタリングおよび薄膜蒸着用に設計されています。942 °Cの融点と5.67 g/cm³の密度での堅牢な熱安定性は、厳しい産業環境での信頼性の高い動作を保証します。
インジウムヒ素スパッタリングターゲット用途
- 半導体製造先端半導体デバイスの薄膜成膜に最適です。
- オプトエレクトロニクス光検出器、太陽電池、その他のオプトエレクトロニクス部品の製造に使用されます。
- 研究開発:材料科学研究所の実験セットアップやパイロット生産に適した材料です。
- 精密エレクトロニクス:高性能電子回路の部品製造に不可欠。
インジウムヒ素スパッタリングターゲットパッキング
当社のインジウムヒ素スパッタリングターゲットは、高純度と性能を維持するために慎重に梱包されています。汚染を最小限に抑える真空密封包装など、カスタム包装ソリューションもご利用いただけます。
よくある質問
Q: インジウムヒ素スパッタリングターゲットInAsの一般的な用途は何ですか?
A: 主に半導体製造、光電子デバイス、先端材料研究における薄膜蒸着に使用されます。
Q: InAsの高純度(99%以上)は、その性能にどのような影響を与えますか?
A: 高純度であるため不純物が少なく、スパッタリング挙動が安定し、最終製品の電気的・光学的特性が最適になります。
Q: スパッタリングターゲットはカスタム形状にできますか?
A: はい、ターゲットは、特定のアプリケーションの要件を満たすために、ディスクやカスタムメイドの構成を含む様々な形状で製造することができます。
Q: この材料の融点942℃の意味は何ですか?
A: この融点はInAsの熱安定性を示しており、高温処理作業中に劣化することなくその完全性を維持することを保証しています。
Q: インジウムヒ素スパッタリングターゲットInAsは、どのように保管、取り扱えばよいですか?
A: 高純度と性能を維持するため、汚染のない環境で慎重に取り扱い、真空シールまたは同様の保護包装で保管する必要があります。