リン化ゲルマニウム スパッタリング ターゲット 説明
リン化ゲルマニウムスパッタリングターゲットGePは、高精度スパッタリングアプリケーション用に設計されており、高度な薄膜蒸着プロセスにおいて信頼性の高い性能を保証します。純度99%以上で製造され、融点725 °Cを特徴とするこのターゲットは、標準ディスクまたは特定の産業要件に適合する特注形状として入手可能です。インジウムボンドの使用により、熱的および機械的安定性が向上し、半導体およびオプトエレクトロニクスデバイス製造における高感度アプリケーションに最適です。
リン化ゲルマニウムスパッタリングターゲット用途
- 半導体製造:マイクロエレクトロニクスデバイスの薄膜成膜に最適です。
- オプトエレクトロニクスデバイス:センサーや光部品の製造に使用。
- 高度な表面処理スパッタコーティングプロセスで優れた性能を発揮します。
- 研究開発材料科学と工学の実験セットアップに適しています。
- カスタム工業プロセス:カスタマイズ可能な形状により、特殊な要件に対応できます。
リン化ゲルマニウムスパッタリングターゲットパッキング
当社のリン化ゲルマニウムスパッタリングターゲットは、その高純度と構造的完全性を維持するために慎重に梱包されています。各ユニットは防湿性、帯電防止包装で密封され、保管および輸送中の最適な品質を保証します。
よくある質問
Q: リン化ゲルマニウム スパッタリング ターゲット GeP の主な用途は何ですか?
A: 主に薄膜蒸着用途のスパッタリングプロセス、特に半導体製造や光電子デバイス製造に使用されます。
Q: このターゲットの純度99%以上とはどういう意味ですか?
A: 純度99%以上のターゲットは、不純物を最小限に抑え、成膜品質の向上と高感度アプリケーションにおける信頼性の高いパフォーマンスを実現します。
Q: カスタマイズは可能ですか?
A: はい、リン化ゲルマニウム・スパッタリング・ターゲットは、標準的なディスク形状のほか、特定の技術要件を満たすカスタムメイドの形状も可能です。
Q: この製品に使用されているインジウム接合の意義は何ですか?
A: インジウムボンドは優れた熱的・機械的安定性を提供します。これは高ストレススパッタリング工程において極めて重要であり、安定した性能を保証します。
Q: リン化ゲルマニウム・スパッタリング・ターゲットは標準的なスパッタリング装置と互換性がありますか?
A: はい、さまざまなスパッタリング装置で使用できるように設計されていますが、具体的な互換性は装置の仕様で確認する必要があります。