SI6021 単結晶シリコン引き上げ用石英るつぼ

Name: SI6021 Quartz Crucible for Single Crystal Silicon pulling
SKU: SI6021
Availability: InStock
Rating: 4.9 (166 reviews)

カタログ番号	SI6021
素材	石英、SiO2
動作温度	1100-1200℃
純度	99.99%

単結晶シリコン引き上げ用石英るつぼは、溶融石英または石英ガラスから作られた特殊な装置で、ベルの形に設計されています。スタンフォードアドバンストマテリアルズ(SAM)は、卓越した品質の光学製品を非常に競争力のある価格で提供しています。

関連製品石英管、石英ガラスボート、石英ガラスるつぼ

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TA0075 二ケイ化タンタル (TaSi2) 粉末 (CAS No. 12039-79-1)

NR0103 窒化ケイ素粉末 (CAS No.12033-89-5)

Nano Silicon Nitride (Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)

NN0219 ナノ窒化ケイ素 (Si3N4) 粉末 (CAS No. 12033-89-5)

Micro Silicon Nitride (α-Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)

NR0220 マイクロ窒化ケイ素 (α-Si3N4)パウダー (CAS No. 12033-89-5)

Micro Silicon Nitride (β-Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)

NR0221 マイクロ窒化ケイ素 (β-Si3N4)パウダー (CAS No. 12033-89-5)

Nano Silicon Powder (Si) (CAS No.7440-21-3)

NN0237 ナノシリコンパウダー (Si) (CAS No.7440-21-3)

Micro Silicon Powder (Si) (CAS No.7440-21-3)

NN0238 マイクロシリコンパウダー (Si) (CAS No.7440-21-3)

Nano Silicon Oxide (SiO2) Powder CAS NO. 7631-86-9

OX0283 ナノ酸化ケイ素 (SiO2) 粉末 (CAS 番号: 7631-86-9)

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材質	石英、SiO2
使用温度	1100-1200℃
純度	99.99%
融点	1660-1710℃
軟化点	1570℃
密度	2.2g/cm3

仕様	D	H	W1	W2	W3	R1	R2
14インチ	355±3	240±3	10±3	10±3	11±3	89	381
16 インチ	405±2	280±3	9±2	9±2	9±2	90	450
18 インチ	457±3	355±2	7-12	7-12	7-12	88-120	457-500
20インチ	505±3	385±2	11±2	11±2	11±2	120	508
22インチ	555-560	406±2	11+3/-1	11+3/-1	11+3/-1	127	560
24インチ	609+2/-3	440±3	11-2/+3	12-2/+3	12-2/+3	120	610
25インチ	632±3	460±3	11+3/-1	11+3/-1	14+4/-2	120	635
26インチ	654±3	500±3	12+3/-1	12+3/-1	14+4/-2	120	660
28 インチ	708±3	556±3	13.5±2	13.5±2	19.0±3	120	710
30 インチ	758±3	580±3	13.5±2	13.5±2	19.0±3	120	760
32 インチ	810±3	680±3	15.0±3	15.0±3	21.0±4	120	81
S32インチ	834±4	680±3	15.0±3	15.0±3	21.0±4	120	834
S36インチ	943±4	760±3	15.0±3	15.0±3	22.0±4	160	947
40 インチ	1016±4	760±3	15.0±3	15.0±3	25.0±5	160	1016

るつぼタイプ	材質	最高温度 (°C)	熱伝導率	耐熱衝撃性	耐薬品性	用途
石英セラミック	石英セラミック	1100	低い	高	高	一般実験室
BeOセラミック	酸化ベリリウム	1800	非常に高い	高い	高温	高温、電子機器
PGコートC	PGコート黒鉛	2000	高温（異方性）	非常に高い	高い	結晶成長、蒸発
PGコートPBN	PGコートPBN	1800	高い	非常に高い	非常に高い	高純度結晶成長
PBNるつぼ	熱分解BN	1800	高純度	非常に高い	非常に高い	MBE、OLED、VGF、LECプロセス
AlNるつぼ	窒化アルミニウム	1800	高い	高い	高	半導体、パッケージング
SiCるつぼ	炭化ケイ素	1600	高い	非常に高い	高い	金属溶解、鋳造
H-BNるつぼ	ホットプレスBN	1800	中程度	非常に高い	高い	金属加工、はんだ付け
チタン酸アルミニウム	チタン酸アルミニウム	1400	低い	優秀	中程度	熱サイクル、ガラス産業
アルミナるつぼ	酸化アルミニウム	1700	中程度	中程度	高温	一般高温用
Si用石英	溶融石英	1200	低い	高	高	シリコン単結晶育成（Czochralski)

材質	石英、SiO2
使用温度	1100-1200℃
純度	99.99%
融点	1660-1710℃
軟化点	1570℃
密度	2.2g/cm3

仕様	D	H	W1	W2	W3	R1	R2
14インチ	355±3	240±3	10±3	10±3	11±3	89	381
16 インチ	405±2	280±3	9±2	9±2	9±2	90	450
18 インチ	457±3	355±2	7-12	7-12	7-12	88-120	457-500
20インチ	505±3	385±2	11±2	11±2	11±2	120	508
22インチ	555-560	406±2	11+3/-1	11+3/-1	11+3/-1	127	560
24インチ	609+2/-3	440±3	11-2/+3	12-2/+3	12-2/+3	120	610
25インチ	632±3	460±3	11+3/-1	11+3/-1	14+4/-2	120	635
26インチ	654±3	500±3	12+3/-1	12+3/-1	14+4/-2	120	660
28 インチ	708±3	556±3	13.5±2	13.5±2	19.0±3	120	710
30 インチ	758±3	580±3	13.5±2	13.5±2	19.0±3	120	760
32 インチ	810±3	680±3	15.0±3	15.0±3	21.0±4	120	81
S32インチ	834±4	680±3	15.0±3	15.0±3	21.0±4	120	834
S36インチ	943±4	760±3	15.0±3	15.0±3	22.0±4	160	947
40 インチ	1016±4	760±3	15.0±3	15.0±3	25.0±5	160	1016

SI6021 単結晶シリコン引き上げ用石英るつぼ

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