SC0897 炭化ケイ素ノズル（SiCノズル）

カタログ番号	SC0897
素材	SiCセラミック
純度	97%~99%
密度	3.05~3.15 g/cm3
外観	ブラック
融点	2,730°C（4,946°F）（分解する）
動作温度	1400℃

炭化ケイ素ノズルは、優れた熱伝導性、低熱膨張性、酸による腐食耐性を持っています。 Stanford Advanced Materials （SAM）は、高品質の焼結SiC、反応結合SiC、再結晶SiCの信頼できるサプライヤーであり、メーカーです。ご要望に応じてカスタマイズも可能です。

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	炭化ケイ素純度	最高使用温度最高使用温度	かさ密度 (g/cm3)	外観気孔率	曲げ強さ (MPa)	圧縮強度 (MPa)	熱膨張率 (10^-6/`C)	熱伝導率 (W/m.K)	主な特性
再結晶SiC	99.50%	1650	2.7	<15%	110	>300	4.6 (1200`C)	35~36	高温耐性高純度
焼結SiC	98%	1550	3.1	2.5	400	2200	4.0 (<500`C)	110	破壊靭性
反応結合SiC	>88%	1300	>3	0.1	380	2100	4.4 (<500`C)	65	耐薬品性

	炭化ケイ素の純度	最高使用温度最高使用温度	かさ密度 (g/cm3)	外観気孔率	曲げ強さ (MPa)	圧縮強度 (MPa)	熱膨張率 (10^-6/`C)	熱伝導率 (W/m.K)	主な特性
再結晶SiC	99.50%	1650	2.7	<15%	110	>300	4.6 (1200`C)	35~36	高温耐性高純度
焼結SiC	98%	1550	3.1	2.5	400	2200	4.0 (<500`C)	110	破壊靭性
反応結合SiC	>88%	1300	>3	0.1	380	2100	4.4 (<500`C)	65	耐薬品性

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