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カタログ番号 | SN5593 |
主な構成 | Si3N4 |
寸法 | 190.5*139.7 mm (カスタマイズ) |
曲げ強度 | 750/600 MPa |
窒化ケイ素基板は、半導体およびエレクトロニクス産業全般の用途に広く使用されている高性能セラミック材料です。卓越した熱安定性、電気絶縁性、機械的強度で知られる窒化ケイ素基板は、需要の高い様々な用途で重要な役割を果たしています。Stanford Advanced Materials (SAM)は、プレミアム品質の窒化ケイ素基板の製造と供給において豊富な経験を誇り、信頼性の高い高性能材料を必要とする業界に対応しています。
窒化ケイ素基板は セラミック材料の一種で、特に半導体やエレクトロニクス産業で様々な用途に使用されています。窒化ケイ素は、機械的、熱的、電気的特性の優れた組み合わせで評価されています。高強度、優れた熱安定性、優れた電気絶縁性、耐熱衝撃性、化学的不活性、特に過酷な環境下での特性が特徴です。高出力半導体デバイス基板に最適な材料であり、パワー集積回路に広く使用されています。
サイズ |
カスタマイズ |
厚さ(mm) |
0.25/0.32/0.38/0.5など |
表面粗さRa |
<0.6μm |
密度 |
≥3.2 g/cm3 以上 |
曲げ強度 |
>700 MPa以上、600 MPa以上 |
ビッカース硬度 |
15.0 GPa |
ヤング率 |
310.0 GPa |
熱膨張係数 |
2.5-3.1 x10-6/k |
比熱 |
680 |
当社の窒化ケイ素基板は、製品の品質を元の状態で維持するために、保管中および輸送中に注意深く取り扱われます。
Q1: 窒化ケイ素基板とは何ですか?
窒化ケイ素基板は、セラミック化合物である窒化ケイ素(Si₃N₄)を主成分とする薄くて高性能な材料です。集積回路(IC)やパワーデバイスの基板など、電子機器やマイクロエレクトロニクスの用途に使用されています。窒化ケイ素は、高い熱安定性、優れた機械的強度、電気絶縁性で評価されています。
Q2: 窒化ケイ素の主な特性は何ですか?
高い熱安定性:窒化ケイ素は、大きな劣化なしに高温(最高1400℃以上)に耐えることができます。
電気絶縁性:優れた電気絶縁体であるため、電子機器や半導体デバイスに最適です。
機械的強度強靭で摩耗や腐食に強い。
熱伝導性熱伝導性に優れ、高性能電子機器の放熱に適しています。
Q3: 窒化ケイ素基板の一般的な厚さはどのくらいですか?
窒化ケイ素基板の厚さは用途によって異なります。一般的な厚さは、数マイクロメートル(薄膜用途)から数百マイクロメートル(パワーエレクトロニクスやMEMSに使用される厚い基板)です。薄膜はIC製造によく使用され、厚い基板はパワーデバイスや高熱アプリケーションに使用されます。
サイズ |
カスタマイズ |
厚さ(mm) |
0.25/0.32/0.38/0.5など |
表面粗さRa |
<0.6μm |
密度 (g/cm3) |
≥3.2 g/cm3 以上 |
曲げ強度 |
>700 MPa以上、600 MPa以上 |
ビッカース硬度 |
15.0 GPa |
ヤング率 |
310.0 GPa |
熱膨張係数 |
2.5-3.1 x10-6/k |
比熱 |
680 |
*上記の製品情報は理論値に基づくもので、参考用です。実際の仕様は異なる場合があります。
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