Name: ST6595 セレン化スズターゲット（SnSe）
Brand: Stanford Advanced Materials (SAM)
SKU: ST6595
Availability: InStock

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スパッタリングターゲット

ST6595 セレン化スズターゲット（SnSe）

カタログ番号	ST6595
素材	SnSe
純度	99.9%
形状	平面ディスク

セレン化スズターゲット（SnSeターゲット）は、スズとセレンからなる高性能スパッタリング材料で、優れた熱電特性、層状結晶構造、高純度で知られ、半導体やエネルギー変換薄膜の用途に適しています。

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概要

仕様

レビュー

セレン化スズターゲット（SnSe）の説明

スズセレナイドターゲット（SnSeターゲット）は、構造的、電気的、熱的特性のユニークな組み合わせを示し、薄膜蒸着において非常に有用です。斜方晶の層状構造で結晶化し、異方性電荷輸送と優れた熱電特性を可能にします。ターゲットは一般的に高純度（99.9%以上）で、スパッタリング中のコンタミネーションを最小限に抑えます。SnSeは融点が比較的低く(~861℃)、密度が中程度(~6.18 g/cm³)であるため、均一な成膜が容易です。SnSeは半導体であり、狭いバンドギャップ（結晶学的方向により0.9～1.3eV）を持つため、得られる薄膜の電子的および光学的特性を精密に制御することができる。さらに、SnSeは低い熱伝導率と高いゼーベック係数を示し、エネルギーハーベスティング用途に理想的な材料である。このターゲットの機械的安定性と様々な基板との化学的適合性は、高効率の熱電材料、光電材料、光起電力デバイスへの利用をさらに後押しする。

セレン化スズターゲット（SnSe）仕様

特性

材質	SnSe
純度	99.9%
融点	861 °C
密度	6.18^g/cm3
形状	平面ディスク
スパッタ	RF、RF-R、DC
ボンドの種類	インジウム, エラストマー

*上記製品情報は理論値です。具体的なご要望、詳細につきましては、弊社までお問い合わせください。

サイズカスタマイズ

セレン化スズターゲット（SnSe）の用途

セレン化スズターゲット(SnSeターゲット)は、様々な先端用途の薄膜製造に広く使用されています。主な用途は熱電デバイスで、熱伝導率が低くゼーベック係数が高いため、高効率で熱を電気に変換するのに理想的です。太陽光発電では、SnSe薄膜は、その適切なバンドギャップと地球上に豊富に存在する組成により、吸収層として探求されている。さらに、SnSeターゲットは、その半導体特性と相変化特性を利用して、赤外線検出器、光電子デバイス、メモリーデバイスに使用されています。研究者はまた、SnSeのユニークな異方性輸送挙動と低温処理への適合性から、フレキシブルエレクトロニクスや透明導電体についても研究している。

セレン化スズターゲット（SnSe）のパッケージング

当社の製品は、材料の寸法に基づいて様々なサイズのカスタマイズされたカートンに梱包されています。小さな製品はPP箱にしっかりと梱包され、大きな製品は特注の木箱に入れられます。梱包のカスタマイズを厳守し、適切な緩衝材を使用することで、輸送中に最適な保護を提供します。

梱包カートン、木箱、またはカスタマイズ。

製造工程

1.簡単な製造工程の流れ

2.試験方法

化学成分分析 - GDMSやXRFなどの技術を用いて検証し、純度要件への適合を確認する。
機械的特性試験 - 材料性能を評価するための引張強さ、降伏強さ、伸び試験を含む。
寸法検査 - 厚さ、幅、長さを測定し、指定された公差に準拠していることを確認します。
表面品質検査 - 目視および超音波検査により、傷、亀裂、介在物などの欠陥をチェックします。
硬度検査 - 材料の硬度を測定し、均一性と機械的信頼性を確認します。

セレン化スズターゲット（SnSe）に関するFAQ

Q1: SAMが提供するSnSeターゲットの純度レベルはどのくらいですか？

A1: SAMは通常、99.9%以上の純度のSnSeターゲットを提供し、高性能の薄膜蒸着と最小限の汚染を保証します。

Q2: SnSeターゲットと互換性のあるスパッタリング方法を教えてください。

A2: SnSeターゲットは、RFおよびDCマグネトロンスパッタリングに対応しています。

Q3: SnSeターゲットはどのように保管すべきですか？

A3: SnSeターゲットは、酸化や劣化を避けるために、乾燥した不活性環境で保管する必要があります。

競合製品との性能比較表

セレン化スズターゲット（SnSe）と競合材料との比較

特性	SnSeターゲット	Bi₂Te₃ターゲット	PbTeターゲット
純度	≥99.9%以上 (多結晶、後処理)	≥99.5%以上（Teコンタミネーション）	≥99.0%以上（Pb揮発性）
密度	6.2-6.5 g/cm³ (95%理論値)	7.7-7.9 g/cm³ (～98%)	8.2-8.5 g/cm³ (~97%)
熱安定性 (°C)	500-800 (多結晶、酸化物フリー)	≤450 (Te昇華)	≤700 (酸化)
熱伝導率	0.07-0.32 W/m-K	1.5 W/m-K	2.0 W/m-K
機械的強度	曲げ強さ: 250-300 MPa	50-100 MPa（脆い）	80-120 MPa（クラックリスク）
スパッタリング速度	120-180 nm/min （DC、500W）	80-100 nm/min (RF、300W）	90-130 nm/min （DC、400W）

仕様

特性

材質	SnSe
純度	99.9%
融点	861 °C
密度	6.18^g/cm3
形状	平面ディスク
スパッタ	RF、RF-R、DC
ボンドの種類	インジウム, エラストマー