PMN-PT結晶基板について
PMN-PT結晶基板は、優れた圧電特性、非線形光学特性、焦電特性を有しています。PMN-PT結晶基板は、アプリケーションのニーズを満たすことができ、新世代の非線形光学デバイスや光検出デバイスのコア材料となります。また、PMN-PT結晶基板は優れた科学的研究手段にもなります。

PMN-PT結晶基板仕様
化学式
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(PbMg0.33Nb0.67O3 )1-x:(PbTiO3)x
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構造
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R3m, 菱面体
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格子
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a0~4.024Å(擬立方晶、組成により異なる)
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融点
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1280oC
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密度
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8.1g/cm3
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ピエゾ電気弾性率d33
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>2000 pC/N
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Kt(厚みモード)
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59-62%
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K33'(ビームモード)
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84-88%
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誘電率E(ポーリング後1kHz)
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4000 ~ 6000
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誘電損失
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タンd<0.9
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キュリー温度
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135-150°C
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残留分極
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20uC/cm2
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PMN-PT結晶基板用途
PMN-PT結晶基板は以下の用途に使用できます:
- 高性能圧電トランスデューサー
- 非線形光学デバイス
- 光検出素子
仕様
化学式
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(PbMg0.33Nb0.67O3 )1-x:(PbTiO3)x
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構造
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R3m, 菱面体
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格子
|
a0~4.024Å(擬立方晶、組成により異なる)
|
融点
|
1280oC
|
密度
|
8.1g/cm3
|
ピエゾ電気弾性率d33
|
>2000 pC/N
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Kt(厚みモード)
|
59-62%
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K33'(ビームモード)
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84-88%
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誘電率E(ポーリング後1kHz)
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4000 ~ 6000
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誘電損失
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タンd<0.9
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キュリー温度
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135-150°C
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残留分極
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20uC/cm2
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*上記の製品情報は理論値に基づくもので、参考用です。実際の仕様は異なる場合があります。