GaGeTe結晶は 、ユニークな結晶構造とエキサイティングな電子特性を持つ層状結晶です。Stanford Advanced Materials （SAM）は、高品質の半導体製品の製造と供給において豊富な経験を有しています。
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GaGeTe結晶は 、ユニークな結晶構造と刺激的な電子特性を持つ層状結晶です。そのバンドギャップは厚さによって0.01eVから0.7eVに広がり、バンドは高いキャリア移動度を示します。これらの特性により、この特殊な材料は赤外（IR）技術や電気通信範囲のアプリケーションに最適です。
材料
GaGeTe
結晶サイズ
3-4 mm
結晶構造
R3m三方晶
バンドギャップ
0.2eV
純度
>99.999%
サイズ
カスタマイズ
当社のGaGeTe結晶は、製品の品質を元の状態で維持するために、保管中および輸送中に慎重に取り扱われます。
金
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