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カタログ番号 | IF5688 |
商品番号 | OTF-1200X-S-HPCVD |
動作温度 | 1100℃連続 |
動作温度 | ≤ 1200℃、≤1時間 |
1200C管状炉は、コンパクトな2 "スプリット管状炉で、処理管内の試料移動システムを特徴としています。Stanford Advanced Materials 社(SAM)は、高品質のコンパクト管状炉を製造・供給する豊富な経験を持っています。
関連製品1500℃コンパクト水素ガス管状炉 GSL-1500X-50HG、1200℃ハイブリッドマッフル管状炉 KSL-1200X-J-H、1200℃チューブ&フランジ付3ゾーン管状炉 (60, 80, 100mm) OTF-1200X-II
1200C管状炉は、コンパクトな2インチスプリット管状炉で、処理管内の試料移動システムを特徴としています。この革新的な設計により、タッチスクリーンのデジタルコントローラーを使用して、試料ステージまたはるつぼの位置と温度を正確に制御できます。
主に多機能迅速熱処理用に設計されたこの炉は、ハイブリッド物理化学気相成長法(HPCVD)、迅速熱蒸発法(RTE)、水平ブリッジマン結晶成長法(HDC)を含むさまざまなアプリケーションをサポートします。これらの機能により、さまざまに制御された雰囲気下での新世代材料の先端結晶研究に最適です。
特徴 |
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使用温度 |
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基本パラメータ |
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電力 |
220VAC、2KW、50/60Hz |
温度制御 |
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真空シール |
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保証 |
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認証 |
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ハイブリッド物理化学堆積法(HPCVD)、急速加熱蒸発法(RTE)などの多機能急速加熱プロセスや、新世代の結晶研究のための様々な雰囲気下での水平ブリッジマン結晶成長法(HDC)に使用できます。
当社の内部移動機構付1200℃管状炉OTF-1200X-S-HPCVDは 、製品の品質を原型のまま維持するために、保管中および輸送中の取り扱いに細心の注意を払っています。
特徴 |
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使用温度 |
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基本パラメータ |
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電力 |
220VAC、2KW、50/60Hz |
温度制御 |
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真空シール |
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保証 |
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認証 |
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