HPCVD OTF-1200X-S-HPCVDのための内部旅行メカニズムが付いている1200℃管状炉販売

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IF5688 (生産中止) 1200℃管状炉、HPCVD用内部移動機構付き OTF-1200X-S-HPCVD

カタログ番号	IF5688
商品番号	OTF-1200X-S-HPCVD
使用温度	1100℃連続
最高使用温度最高使用温度	1200℃、≤1時間
水晶管サイズ	φ44*450 mm

生産終了

1200C管状炉は、コンパクトな2 "スプリット管状炉で、処理管内の試料移動システムを特徴としています。Stanford Advanced Materials 社（SAM）は、高品質のコンパクト管状炉を製造・供給する豊富な経験を持っています。

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仕様

内部移動機構付き1200C管状炉 OTF-1200X-S-HPCVD 説明

1200C管状炉は、コンパクトな2インチスプリット管状炉で、処理管内の試料移動システムを特徴としています。この革新的な設計により、タッチスクリーンのデジタルコントローラーを使用して、試料ステージまたはるつぼの位置と温度を正確に制御できます。

主に多機能迅速熱処理用に設計されたこの炉は、ハイブリッド物理化学気相成長法（HPCVD）、迅速熱蒸発法（RTE）、水平ブリッジマン結晶成長法（HDC）を含むさまざまなアプリケーションをサポートします。これらの機能により、さまざまに制御された雰囲気下での新世代材料の先端結晶研究に最適です。

内部移動機構付き1200℃管状炉 OTF-1200X-S-HPCVDの仕様

特徴	シェル表面温度を効果的に低減できる空冷式二重層シェル構造酸化アルミニウムコーティングにより、装置の加熱効率を向上
使用温度	最高加熱温度1200℃（≤30分）動作温度：1100℃
基本パラメータ	発熱体Mo-Fe-Cr-Al合金
電力	220VAC、2KW、50/60Hz
温度制御	プログラム可能な30ステップのソリッドステートリレーによるPID自動制御過熱保護および熱電対故障保護機能内蔵精度+/-1 Kタイプ熱電対加熱ゾーンの長さ：200mm（8インチ）恒温ゾーン：60mm (+/-1°C @ 1000 °C)
真空シール	2 "クイッククランプフランジ、1/4''フィッティング、真空計、ニードルバルブ（右側右フランジは、150 mmまで伸縮可能なステンレス製ベローに接続されています。左フランジはクイッククランプ式KF25真空ポートと1/4''バーブ通気バルブ付き最大真空度真空レベル：機械式ポンプで10E-2 torr、ターボポンプで10-E5
保証	1年間の限定保証と生涯サポート注意：腐食性ガスや酸性ガスの使用による損害は、SAM1年保証の対象外となります。
認証	CE認証 NRTLまたはCSA認証は別途費用にて取得可能です。

内部移動機構付き1200℃管状炉 OTF-1200X-S-HPCVD 用途

ハイブリッド物理化学堆積法（HPCVD）、急速加熱蒸発法（RTE）などの多機能急速加熱プロセスや、新世代の結晶研究のための様々な雰囲気下での水平ブリッジマン結晶成長法（HDC）に使用できます。

内部移動機構付1200℃管状炉 OTF-1200X-S-HPCVD パッケージング

当社の内部移動機構付1200℃管状炉OTF-1200X-S-HPCVDは 、製品の品質を原型のまま維持するために、保管中および輸送中の取り扱いに細心の注意を払っています。

仕様

特徴	シェル表面温度を効果的に下げることができる空冷システム付き二重層シェル構造酸化アルミニウムコーティングにより、装置の加熱効率を向上
使用温度	最高加熱温度：1200℃（≤30分）動作温度：1100℃
基本パラメータ	発熱体Mo-Fe-Cr-Al合金
電力	220VAC、2KW、50/60Hz
温度制御	プログラム可能な30ステップのソリッドステートリレーによるPID自動制御過熱保護および熱電対故障保護機能内蔵精度+/-1 Kタイプ熱電対加熱ゾーンの長さ：200mm（8インチ）恒温ゾーン：60mm (+/-1°C @ 1000 °C)
真空シール	2 "クイッククランプフランジ、1/4''フィッティング、真空計、ニードルバルブ（右側右フランジは、150 mmまで伸縮可能なステンレス製ベローに接続されています。左フランジはクイッククランプ式KF25真空ポートと1/4''バーブ通気バルブ付き最大真空度真空レベル：機械式ポンプで10E-2 torr、ターボポンプで10-E5
保証	1年間の限定保証と生涯サポート注意：腐食性ガスや酸性ガスの使用による損害は、SAM1年保証の対象外となります。
認証	CE認証 NRTLまたはCSA認証は別途費用で取得可能です。

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