LGSポッケルスセル説明
LGSポッケルスセルは、DKDPやLiNbO3シリーズのQスイッチの一部を代替し、中出力エネルギーレーザーに使用できる実用的な電気光学デバイスです。LGS結晶は、非常に高い損傷しきい値(LNの約9倍)、優れたE-O係数、高温安定性(石英よりも優れている)を持つ光学活性NLO材料の一種です。
LGSポッケルスセルの仕様
| 化学式 | La3Ga5SiQ14 | 
| 結晶構造 | 三方晶、a=b=7.453Å、c=6.293Å | 
| 密度 | 5.75 g/cm3 | 
| 融点 | 1470℃ | 
| 透明度 | 242 - 3200 nm | 
| 屈折率 | 1.89 | 
| 電気光学係数 | γ41=1.8pm/V、γ11=2.3pm/V | 
| 抵抗率 | 1.7×1010 Ω・cm | 
| 熱膨張係数 | α11=5.15×10-6 /K (⊥Z軸) ; α33=3.65×10-6 /K (∥Z軸) | 
LGSポッケルスセルの 応用 
LGSポッケルスセルは、DKDPやLiNbO3シリーズのQスイッチの一部代替として、中出力エネルギーレーザーに使用できる実用的な電気光学デバイスです。
LGSポッケルスセルの パッケージング 
当社のLGSポッケルスセルは、製品の品質を元の状態で維持するために、保管中および輸送中に注意深く取り扱われます。
             
            
            
                仕様
                
| 化学式 | La3Ga5SiQ14 | 
| 結晶構造 | 三方晶、a=b=7.453Å、c=6.293Å | 
| 密度 | 5.75 g/cm3 | 
| 融点 | 1470℃ | 
| 透明度 | 242 - 3200 nm | 
| 屈折率 | 1.89 | 
| 電気光学係数 | γ41=1.8pm/V、γ11=2.3pm/V | 
| 抵抗率 | 1.7×1010 Ω・cm | 
| 熱膨張係数 | α11=5.15×10-6 /K (⊥Z軸) ; α33=3.65×10-6 /K (∥Z軸) | 
*上記の製品情報は理論値に基づくもので、参考用です。実際の仕様は異なる場合があります。