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  • SC5622 炭化ケイ素るつぼ (SiC るつぼ)

    • SC5622 炭化ケイ素るつぼ (SiC るつぼ)

    カタログ番号 SC5622
    素材 SiC
    動作温度 ≤ 1600 ℃
    密度 3.0-3.2 g/cm3
    寸法 カスタマイズ

    炭化ケイ素るつぼは 、金属の高い熱伝導性とセラミックの高温耐性と強度を備えています。Stanford Advanced Materials (SAM) 社は 、高純度で競争力のある価格の炭化ケイ素るつぼを提供する豊富な経験を誇っています。

    関連製品PBNるつぼ、炭化ケイ素シールリング、炭化ケイ素ラジアントチューブ (SiC)

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    https://www.samaterials.com/images/sc/1765955766-normal-SC0892-1.jpg
    SC0892 高純度炭化ケイ素粉末（SiC粉末） (CAS No.409-21-2)
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    sc/1752221027-SC0893.jpg
    SC0893 炭化ケイ素ベアリング（SiCベアリング）
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    sc/1744365382-SC0894_01.jpg
    SC0894 炭化ケイ素シールリング（SiCリング）
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    Silicon Carbide Balls
    SC0895 炭化ケイ素ボール（SiCボール）
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    Silicon Carbide Plate
    SC0896 炭化ケイ素プレート（SiCプレート）
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    sc/1751898312-SC0897.jpg
    SC0897 炭化ケイ素ノズル（SiCノズル）
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    SC0908 Silicon Carbide Tube (SiC Tube)
    SC0908 炭化ケイ素チューブ、SiCチューブ
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    SC0957 Silicon Carbide Trays (SiC Trays)
    SC0957 炭化ケイ素トレイ（SiCトレイ）
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