ZrSe3結晶は 1.4eVのバンドギャップを持つ半導体の一種です。スタンフォードアドバンストマテリアルズ(SAM)は、高品質の半導体製品を製造・供給する豊富な経験を持っています。
関連製品SiTe2結晶、ZrGeTe4結晶、In2Se3結晶
ZrSe3結晶は 、横の大きさが～0.6～0.8cm、幅が～1mmの平らな針状で、金属的な外観を持っています。間接バンドギャップが1.1eVの半導体で、反磁性である。層はファンデルワールス相互作用を介して積層され、薄い2次元層に剥離することができる。
材料
ZrSe3
結晶サイズ
5~10 mm
結晶構造
単斜晶 P
純度
>99.999%
単位胞パラメーター
a = 0.541 nm、b = 0.375 nm、c = 0.944 nm、α = γ = 90°、γ = 97.50
赤外半導体やトポロジカル材料として使用される。
ZrSe3 Crystalは、製品の品質を損なわないよう、保管・輸送時に細心の注意を払っております。
材質
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