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  • CY2426 炭化ケイ素（SiC）結晶基板

    • CY2426 炭化ケイ素（SiC）結晶基板

    カタログ番号 CY2426
    寸法 10x10x0.33mmまたはカスタマイズ
    表面仕上げ ポリッシュ仕上げ、Si面片面エピポリッシュ仕上げ
    オリエンテーション <0001> +/-0.5
    成長法 MOCVD

    スタンフォード先端材料（SAM）は、様々なサイズの炭化ケイ素SiC結晶基板を提供することができます。専門の営業チームが24時間以内の迅速な対応と温かいサービスを提供いたします。

    関連製品LiAlO2結晶基板、LAST結晶基板、LiF結晶基板、NdGaO3結晶基板、ガリウムアンチモン単結晶基板。

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    NR2172 Gallium Nitride Wafer
    NR2172 窒化ガリウムウエハ
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    CY2173 Sapphire Wafer
    CY2173 サファイアウェハー
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    SC2276 SOIウェハ
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    ZN2277 Zinc Oxide Wafers Substrates
    ZN2277 酸化亜鉛ウェハー基板
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    Potassium Tantalate (KTaO3) Crystal Substrates
    CY2298 タンタル酸カリウム(KTaO3)結晶基板
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