Bi4Ge3O12 (BGO12) 単結晶基板の説明
Bi4Ge3O12(BGO12)単結晶基板は優れたシンチレーション材料です。スタンフォードアドバンストマテリアルズ(SAM)は、Bi4Ge3O12(BGO12)単結晶基板の製造において20年以上の経験を持っており、お客様に高品質のBi4Ge3O12(BGO12)単結晶基板を非常に競争力のある価格で提供しています。
Bi4Ge3O12(BGO12)単結晶基板の仕様
構造
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立方体
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格子定数
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a=10.518 A
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密度(g/cm3)
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7.13
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融点
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1050
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結晶セルパラメータ(A)
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10.518
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屈折率
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2.15
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放射長 (cm)
|
1.1
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蛍光スペクトルのピーク (nm)
|
480
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減衰時間 (ns)
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300
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相対光出力 (%)
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10-14 Nal (Tl)
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エネルギー分解能 (511 Kev,%)
|
20
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Bi4Ge3O12(BGO12)単結晶基板の用途
Bi4Ge3O12(BGO12) 単結晶基板は、優れたシンチレーション材料であり、高エネルギー物理学、核物理学、宇宙物理学、核医学、地質学的探鉱、および他の産業において幅広い用途を見出しています。
仕様
構造
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立方体
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格子定数
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a=10.518 A
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密度(g/cm3)
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7.13
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融点
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1050
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結晶セルパラメータ(A)
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10.518
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屈折率
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2.15
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放射長 (cm)
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1.1
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蛍光スペクトルのピーク (nm)
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480
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減衰時間 (ns)
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300
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相対光出力 (%)
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10-14 Nal (Tl)
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エネルギー分解能 (511 Kev,%)
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20
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*上記の製品情報は理論値に基づくもので、参考用です。実際の仕様は異なる場合があります。