熱分解窒化ホウ素るつぼ(MBEタイプ)の説明
熱分解窒化ホウ素るつぼ(MBEタイプ)は、分子線エピタキシー(MBE)装置用に設計された専用容器です。MBEは、半導体製造に使用される精密な薄膜蒸着技術です。分子ビームまたは原子ビームを使用して、基板上に材料を1層ずつ蒸着させます。MBEは、厚さと組成を正確に制御して高品質の薄膜を作成できることで知られています。PBNるつぼは高温・真空環境で使用されることが多く、半導体製造や結晶成長の用途に適しています。
熱分解窒化ホウ素るつぼ(MBEタイプ)の仕様
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材質
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PBN
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純度
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≥99.99%
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密度
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1.95-2.22 g/cm3
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引張強さ
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153.86N/mm2、112MPa
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曲げ強度
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243.63N/mm2、173MPa
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圧縮強度
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154 MPa
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最高使用温度使用温度
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2400℃
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比熱容量
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0.89J/g・℃以下
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電気抵抗率
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2*1015Ω・cm
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絶縁耐力(RT)
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>2*105D.C. Volts/mm
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熱伝導率(W/M・K)
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43-60
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標準寸法
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外径
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≤19.7 インチ (500 mm)
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高さ
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≤31.5インチ(800 mm)
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厚さ
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≤0.079インチ(2.0 mm)
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形状
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円錐形、円筒形、またはカスタマイズ
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容量
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5 mL、20 mL、60 mL、125 mL、700 mL、1700 mL、3700 mL
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*上記の製品情報は理論値に基づいています。具体的なご要望や詳細については、弊社までお問い合わせください。
熱分解窒化ホウ素るつぼ(MBEタイプ)の用途
熱分解窒化ホウ素るつぼ(MBEタイプ)は、分子線エピタキシー法において、材料の蒸発制御を容易にし、高純度を維持し、半導体デバイス製造用薄膜の高品質化に貢献します。
製品比較
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るつぼタイプ
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材質
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最高温度 (°C)
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熱伝導率
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耐熱衝撃性
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耐薬品性
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用途
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石英セラミック
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石英セラミック
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1100
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低い
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高
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高
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一般実験室
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BeOセラミック
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酸化ベリリウム
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1800
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非常に高い
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高い
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高温
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高温、電子機器
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PGコートC
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PGコート黒鉛
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2000
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高温(異方性)
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非常に高い
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高い
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結晶成長、蒸発
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PGコートPBN
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PGコートPBN
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1800
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高い
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非常に高い
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非常に高い
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高純度結晶成長
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PBNるつぼ
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熱分解BN
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1800
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高純度
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非常に高い
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非常に高い
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MBE、OLED、VGF、LECプロセス
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AlNるつぼ
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窒化アルミニウム
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1800
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高い
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高い
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高
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半導体、パッケージング
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SiCるつぼ
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炭化ケイ素
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1600
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高い
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非常に高い
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高い
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金属溶解、鋳造
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H-BNるつぼ
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ホットプレスBN
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1800
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中程度
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非常に高い
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高い
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金属加工、はんだ付け
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チタン酸アルミニウム
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チタン酸アルミニウム
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1400
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低い
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優秀
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中程度
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熱サイクル、ガラス産業
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アルミナるつぼ
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酸化アルミニウム
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1700
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中程度
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中程度
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高温
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一般高温用
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Si用石英
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溶融石英
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1200
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低い
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高
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高
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シリコン単結晶成長 (Czochralski)
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熱分解窒化ホウ素るつぼ (MBE タイプ) 包装
当社の製品は、材料の寸法に基づいて様々なサイズのカスタマイズされたカートンに梱包されています。小さな商品はPP箱にしっかりと梱包され、大きな商品は特注の木箱に入れられます。包装のカスタマイズを厳守し、適切な緩衝材を使用して、輸送中に最適な保護を提供します。
梱包カートン、木箱、またはカスタマイズ。

仕様
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項目
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データ
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単位
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密度
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g/cm3
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1.95-2.20
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引張強さ
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MPa
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112
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曲げ強さ
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MPa
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173
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圧縮強さ
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MPa
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154
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ヤング率
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GPa
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18
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熱伝導率
(1500℃以下)
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W/m
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"a" 60
"c" 2
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比熱
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J/g
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0.90 (RT)
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抵抗率
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Ω.cm
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2×1015
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絶縁耐力
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D.C.ボルト/ミリメートル
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2×1015
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誘電率
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-
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"c" 3.07
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金属不純物含有量
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ppm
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<10
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*上記の製品情報は理論値に基づくもので、参考用です。実際の仕様は異なる場合があります。